رفتار حرارتی غشای آلومینای آنودیک نانومتخلخل

ساختار بلورین پایه رشد همواره بر کیفیت نهایی لایه رشد داده شده برآن اثرگذار است که تفکیک دو مکانیسم رشد هم سیما و غیرهم سیما به این دلیل صورت گرفته است همچنین در بسیاری از موارد مشاهده رشد ترجیحی در لایه های نازک به دلیل جهت گیری بلورین پایه است به همین ترتیب اگر پایه نیز مانند ساختار رشد داده شده از مرحله زینترینگ رشد داده شده متاثر گردد بررسی رفتار حرارتی پایه در حین زینترینگ یک ضرورت محسوب می شود در پژوهش حاضر هدف تولید نانوساختارهای اکسیدی پیزوالکتریک به کمک غشاهای الومینای آنودیک بوده است از این رو رفتار حرارتی غشاها به کمک پراش الکترونی موردبررسی قرار گرفته است این غشاها از طریق آنودیزه کردن دو مرحله ای فویلهای آلومینیومی درون یک سلول سرد و دردمای 1 درجه سانتی گراد با استفاده از الکترولیت اسید فسفریک تهیه گردیدند. بررسی های میکروسکوپی الکترونی روبشی (SEM) نشان داد که به این طریق پس از فراخ کردن شیمیایی حفرات، می توان غشاهایی با آرایه هایی تنگ پکیده و نسبتا منظم از حفرات دراین غشاها تولید نمود الگوهای پراش الکترونی غشاها نشان داد که حتی پس از عملیات حرارتی تا دمای 700 درجه هیچ فاز نانوبلورین درون غشاها متبلور نشده است.

کلیدواژه ها:

آلومینایی آنودیک نانومتخلخل ، عملیات حرارتی ، تبلور