مقایسه خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای متناوب نیمه هادی ها در زوایای تابش گوناگون

بسیاری از اجزای نوری و نیمه هادیها توسط لایه های نازک پوشش داده می شوند لذا مطالعه سطوح پوشیده شده با فیلمهای نازک از اهمیت بسزایی برخوردار است. از روش انتقال ماتریس جهت محاسبه خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای و بیانهای تجربی برای ثابتهای نوری سیلیکون تقویت شده ضعیف استفاده شد. دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون و طلا به عنوان پوشش استفاده شد. نتایج نشان داد که در دماهای بالا ضریب عبور ناچیز است. در طول موج ضریب بازتاب و صدور برای سیلیکون تا زاویه تابش حدود º70 تغییر چندانی ندارد ولی پس از آن افزایش زاویه ، منجر به افزایش ضریب بازتاب و کاهش ضریب صدور می گردد. پوششهای غیرفلزی منجر به کاهش ضریب بازتاب می گردند و به عنوان یک ضد بازتاب عمل می کنند. پوشش فلزی منجر به افزایش چشمگیری در مقدار ضریب بازتاب می گردد و می توان از پوشش فلزی در صنایعی که نیاز به بازتاب زیاد است؛ استفاده نمود

کلیدواژه ها:

زاویه تابش ، ضریب عبور ، ضریب صدور ، نانومقیاس ، نیترید سیلیکون ، دی اکسید سیلیکون ، طلا