آنالیز و شبیه سازی مشخصه های الکتریکی و دمایی طرح نوینی ازترانزیستورهای SOI-MOSFET(DSBO-SOI)
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,315
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_062
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله آنالیز عددی دو بعدی جهت بررسی اثرات خود گرمایی در ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با ساخت بر روی ساختار نوینی از لایه عایق انجام شده است. مشخصه های الکتریکی و توزیع دمایی این افزاره شبیه سازی شده و با ترانزیستورهای SOI-MOSFET متداول مقایسه شده است. نتایج تحلیل های عددی نشان می دهند که ساختار ارائه شده دارای مشخصه های جریان-ولتاژ خروجی و زیر آستانه خوبی است. همچنین دمای کانال و مقاومت دیفرانسیلی منفی نیز در دماهای بالا کاهش یافته و بهبود اثرات خودگرمایی را تائید میکنند.
نویسندگان
مرتضی فتحی پور
دانشکده برق دانشگاه تهران
علی اصغر اروجی
دانشکده برق دانشگاه سمنان
سارا حیدری
دانشکده برق دانشگاه سمنان