اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 219

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-16-2_014

تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانونوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانوسیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان میدهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر میکند. به خصوص در نانوسیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده میشود. میزان جابهجایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویا به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.

نویسندگان

حسن ربانی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

محمد مردانی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

سمانه مقبل

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد