بررسی لایه محافظ با نفوذ ناخالصی در سنسور فشار پیزورزیستیو

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 955

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICIRES01_056

تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397

چکیده مقاله:

کاربردهای بسیار زیادی از سنسورهای فشار MEMS در صنایع مختلف وجود دارد. این سنسورها بر اساس روش اندازهگیری، پیزورزیستیو یا خازنی میباشند. در سنسورهای نوع پیزورزیستیو، اعمال فشار، باعث تغییر مقاومت المان پیزورزیستیو و در نوع خازنی باعث تغییر ظرفیت المان خازنی میشود. سنسورهای پیزورزیستیو در مقایسه با سنسورهای خازنی از پایین بودن حساسیت برخوردارهستند, در مقالاتی که اخیرا0 منتشر شده است به بالا بودن اثر پیزورزیستیو در نانوسیم های سیلیکونی اشاره شده است. در این مقاله با استفاده از تکنولوژی میکرو الکترومکانیک یک سنسور طراحی و شبیه سازی میشود و اثر ساختار طراحی شده بر حساسیت سنسور فشار میکروالکترومکانیک با مبدل پیزو مقاومتی بررسی و با استفاده از معادلات حاکم و شبیه سازی راهکارهایی جهت کاهش حساسیت دمایی ارایه می شود.

نویسندگان

زهرا رستمی بیستونی

دانش آموخته کارشناسی ارشد, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه, کرمانشاه,ایران

حمید شرافت وزیری

عضو هیات علمی, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه, کرمانشاه, ایران