بررسی خواص الکترونیکی نانوصفحه ی روی سولفید (ZnS) با استفاده از نظریه تابعی چگالی

در این مطالعه خواص الکترونیکی نانو صفحه ی روی سولفید که یک نیمه رسانای مهم و پرکاربرد می باشد، با استفاده از نظریه تابعی چگالی و با تقریب PBE-GGA محاسبه کرده و با بررسی نتایج به دست آمده از محاسبات نشان داده ایم که روی سولفید دارای یک منطقه ممنوعه ی پهن به مقدار 2,525 الکترون ولت است که با نتایج تجربی و سایر کارهای گزارش شده مطابقت خوبی دارد.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی ، خواص الکترونیکی ، نانوصفحه ی روی سولفید ، شبه گرافن