بررسی خواص الکترونیکی نانوصفحه ی روی سولفید (ZnS) با استفاده از نظریه تابعی چگالی
محل انتشار: ششمین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,317
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNTA06_028
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1397
چکیده مقاله:
در این مطالعه خواص الکترونیکی نانو صفحه ی روی سولفید که یک نیمه رسانای مهم و پرکاربرد می باشد، با استفاده از نظریه تابعی چگالی و با تقریب PBE-GGA محاسبه کرده و با بررسی نتایج به دست آمده از محاسبات نشان داده ایم که روی سولفید دارای یک منطقه ممنوعه ی پهن به مقدار 2,525 الکترون ولت است که با نتایج تجربی و سایر کارهای گزارش شده مطابقت خوبی دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمود جعفری
دانشیار دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی، دانشکده فیزیک، تهران
خدیجه علوانی
کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد، دانشکده فیزیک، دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی