یک تقویت کننده 10.5 Gb/s با امپدانس انتقالی با استفاده از روش بازتولید امیتر خازنی

یکی از مشکلات تقویت کننده های امپدانس انتقالی پهنای باند نامناسب می باشد برای حل این مشکل به تحقیق آقای جی چن هونگ اشاره کرده ایم . یک تقویت کننده با امپدانس انتقالی با فیدبک موازی اصلاح شده با فناوری تجاری SiGe (سیلیکون ژرمانیم) BiCMOS0.35 میکرومتر ارایه می شود. یک روش بازتولید امیتر خازنی برای بهبود عملکرد پهنای باند تقویت کننده با امپدانس انتقالی به کار رفته است. بهره امپدانس انتقالی 56dBΩ، پهنای باند -3dB برابر با 6.2 GHz با مقدار ظرفیت خازن پارازیتی 0.4 pF و چگالی طیف جریان نویز حاصل می شود. مدار کلی با منبع تغذیه 3.3ولتی، 29mW توان تلف می کند و اندازه تراشه فقط 0.25×0.165mm2 است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده با امپدانس انتقالی ، عنصر آنالوگ با گیرنده نوری ، آشکارساز نوری