سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 594

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ARGCONF02_004

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397

چکیده مقاله ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول دهه جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده می شود به کار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول، باعث افزایش بحث و پهنای باند به طور هم زمان می شود. سلول بهره پیشنهادی از سه طبقه ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر یه یک ولتاژ dC و سپس. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی 131 نانو متر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره نسبتا خوبی حدود 22 dB در طول پهنای باند 21 GHz به دست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود به دست می دهد.

کلیدواژه های ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS:

نویسندگان مقاله ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS

مرضیه پارسایی

دانشجوی کارشناسی ارشد، موسسه آموزش عالی بعثت کرمان

سیامک طالبی

دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان

احمد حکیمی

دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان

محمدمهدی پژمان

دانشجوی دکتری ،دانشگاه یزد

مقاله فارسی "ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS" توسط مرضیه پارسایی، دانشجوی کارشناسی ارشد، موسسه آموزش عالی بعثت کرمان؛ سیامک طالبی، دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان؛ احمد حکیمی، دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان؛ محمدمهدی پژمان، دانشجوی دکتری ،دانشگاه یزد نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس سالانه ملی مهندسی برق و بیوالکتریک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله تقویت کننده توزیع شده، ساختار کاسکید، ساختار کاسکود، سلول بهره، پهنای باند هستند. این مقاله در تاریخ 11 خرداد 1397 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 594 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول دهه جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده می شود به کار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول، باعث افزایش بحث و پهنای باند به طور ... . برای دانلود فایل کامل مقاله ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.