ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول دهه جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده می شود به کار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول، باعث افزایش بحث و پهنای باند به طور هم زمان می شود. سلول بهره پیشنهادی از سه طبقه ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر یه یک ولتاژ dC و سپس. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی 131 نانو متر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره نسبتا خوبی حدود 22 dB در طول پهنای باند 21 GHz به دست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود به دست می دهد.

کلیدواژه های ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS:

تقویت کننده توزیع شده ، ساختار کاسکید ، ساختار کاسکود ، سلول بهره ، پهنای باند