CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS

عنوان مقاله: ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS
شناسه ملی مقاله: ARGCONF02_004
منتشر شده در دومین کنفرانس سالانه ملی مهندسی برق و بیوالکتریک ایران در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:

مرضیه پارسایی - دانشجوی کارشناسی ارشد، موسسه آموزش عالی بعثت کرمان
سیامک طالبی - دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان
احمد حکیمی - دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان
محمدمهدی پژمان - دانشجوی دکتری ،دانشگاه یزد

خلاصه مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول دهه جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده می شود به کار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول، باعث افزایش بحث و پهنای باند به طور هم زمان می شود. سلول بهره پیشنهادی از سه طبقه ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر یه یک ولتاژ dC و سپس. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی 131 نانو متر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره نسبتا خوبی حدود 22 dB در طول پهنای باند 21 GHz به دست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود به دست می دهد.

کلمات کلیدی:
تقویت کننده توزیع شده، ساختار کاسکید، ساختار کاسکود، سلول بهره، پهنای باند

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/731476/