بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی

در این پژوهش عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال Fe3O4 با غلظت 3 درصد حجمی به روش دوفازی تحت میدان مغناطیسی موردبررسی قرارگرفته است. دلیل انتخاب نانو ذرات همگن نسبت به ذرات میکرو ،بحث تهنشینی میباشد که در نانوسیالات کمتر میباشد . پس از بررسی مطالعات پیشین به ایده جدید استفاده از میدان مغناطیسی غیریکنواخت خطی (میدان با شیب ثابت از کف محفظه تا سقف محفظه افزایش مییابد) در محفظه پرداختهشده است. نکته حایز اهمیت استفاده همزمان از سینوسی کردن سطح انتقال حرارت و میدان مغناطیسی غیریکنواخت خطی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد در محفظه می باشد .همچنین تمامی هندسهها تحت بارگذاری حرارتی متفاوتی در ناحیه انتقال حرارت و حریان آرام موردبررسی قرارگرفته است. با سینوسی کردن سطح انتقال حرارت در محفظه انتقال حرارت افزایشیافته است. همچنین با افزایش فرکانس سطح سینوسی در مساحت ثابت انتقال حرارت درصد افزایش مییابد همچنین با قرار دادن میدان مغناطیسی غیریکنواخت خلاف جهت گرانش بر نانو سیال مغناطیسی علاوه بر اینکه باعث میشود که نانو سیال تهنشین نشود، انتقال حرارت درصد افزایش مییابد. تاثیر توام میدان مغناطیسی و داندانه دار کردن سطح می تواند تا از 13 تا 33 درصد باعث افزایش عدد ناسلت گردد که این افزایش در اعداد گراشف پایینتر محسوس تر می باشد.

کلیدواژه ها:

فروسیال ، میدان مغناطیسی ، سینوسی ، جابجایی آزاد