محاسبه پارامترهای نانوساختار لایه نازک ایندیم اکسید آلاییده شده با قلع با استفاده از روش ریدفیلد و وارن-اورباخ
محل انتشار: هفتمین کنگره سرامیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,697
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICC07_042
تاریخ نمایه سازی: 10 فروردین 1388
چکیده مقاله:
طیف تفرق اشعه X اکسید ایندیم آلاییده شده با قلع (ITO) آماده شده توسط روش تبخیر باریکه الکترونی وعملیات حرارتی شده در دو دمای 450C 500C توسط دو روش Warren-Averbach و Rietveld آنالیز شد پارامترهای الکتریکی و نوری نیز توسط ترکیب مدل ترکیب مدل تعدیل شده Drude و مدل Froohi - bloomer و سپس تطابقت دادن طیف عبور اندازه گیری شده و محاسبه شده، محاسبه شد . نتایج نشان داد که نمونه آنیل شده در دمای بالاتر هدایت الکتریکی، حاملهای بار، پارامتر شبکه، میکروکرنش بالاتری دارد . در حالی که در نمونه آنیل شده در دمای پایین تر عیوب بیشتر در مرزدانه ها می باشند و همچنین مکانیزم هدایت الکتریکی درون دانه ای می باشد. شیفت Burstein–Moss نیز در نمونه آنیل شده در دمای بالاتر شدیدتر می باشد و همچنین بافت و آرایش ترجیهی نمونه آنیل شده در دمای بالاتر در جهت <111> نسبت به جهت <100> افزایش یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نادره مومنی ترکمان
Materials and Energy Research Center (MERC)
یداله گنج خانلو
Dep. of Science, Karaj branch Islamic Azad University
محمود کاظم زاده
Dep. of Science, Karaj branch Islamic Azad University
تورج عبادزاده
Dep. of Science, Karaj branch Islamic Azad University
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :