بررسی، طراحی و شبیه سازی تاثیرات جامع عملکرد نانوذرات دی الکتریکSiO2 و 2 TiOدر افزایش بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک سیلیکون و مقایسه انها

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 540

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE02_360

تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396

چکیده مقاله:

امروزه با گسترش فناوریهای نوین تلاش های زیادی برای کاهش قیمت و بهبود بازدهی سلولهای خورشیدی صورت گرفته است. یکی از روشهای بکار گرفته شده کاهش اندازه سلولهاست. در این امر توجه به اندازه مناسب سلول لازم است و باید به دو نکته اساسی دقت شود اولا قطر سلول مورد استفاده به اندازه ای کم باشد که در ان عمل تولید الکترون و حفره صورت گیرد و همچنین به اندازه ای بزرگ نباشد که قبل از عمل تولید بازترکیب بازدهی را کاهش دهد.در نتیجه بهترین راه برای کاهش قیمت کم کردن میزان استفاده از مواد و یا جایگزینی انها با مواد ارزانتر است بدین منظور ایده استفاده از دی الکتریک بر روی سطح سلول چشم انداز خوبی را رقم می زند زیرا استفاده از این گونه مواد به دلیل رفتار خاصی که از خود نشان می دهند باعث بهبود بازدهی می گردد. وجود دی الکتریک با ضریب شکست خاص نقش موثری در کوپل بهینه نور دارد در ادامه با انتخاب صحیح جنس و طرح و ابعاد مناسب سعی در بهبود بازدهی داریم. برای تحلیل اینگونه ادوات، محاسبات باید بگونهای باشد که عملکرد مواد و لایه ها به صورت میدانی بررسی شوند. برای تحلیل این ادوات در بخش نوری از نرم افزار لومریکال استفاده میکنیم. در این روش، مشخصات میدان الکترومغناطیسی در تمامی نقاط سلول به کمک حل معادلات ماکسول و شرایط مرزی PML محاسبه میشود. سپس به کمک حل معادله پراکندگی توان و مشخصه تمامی مدهای برانگیختهشده در سلول محاسبه شده و بعنوان خروجی پارامترهایی از قبیل نرخ تولید زوج الکترون-حفره، بازتابش، جذب و... در اختیار ما قرار خواهند گرفت.

نویسندگان

شهرام محمدنژاد

استاد تمام دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

غزاله رمضانی

گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

حسین عبدی

گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران