مدلسازی تقویت کننده توان فرکانس رادیویی باندX مبتنی بر فناوری MMIC برای سامانه های مخابراتی ماهواره های سنجشی

دراین مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی باتوان خروجی و راندمان بالا مبتنی برفناوری(Circuit Integrated MMIC Microwave Monolithic) در محدوده ی باند 8 Xتا 12 گیگاهرتز برای تله متری ماهواره های سنجشی درکلاسE و به صورت دو طبقه با ولتاژ بایاس VD=40v وVG=-2v طراحی و شبیه سازی شده است.برای این کار از پروسه (Gallium Nitride High Electron GaN HEMT Mobility Transistor) استفاده شده است.بهره سیگنال کوچک تقویت کننده نهایی حدود 25dB و حداکثرتوان خطی 49.3 dBm در فرکانس GHz10 می باشد.راندمان نهایی برای تقویت کننده حدود %49 می باشد که به ازای توان ورودی Pin=40dBm به دست می آید.توان اشباع تقویت کننده به ازای Pin=40dBm حدود 195 وات می باشد و از لحاظ پارامتری های خطینگی AM/PM حدود -5 deg/dB و مقدار IMD3 (intermodulation Distortion Third Harmonic) در تست دوتن حدود -21 dBc بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

باند X ، MMIC ، GaN HEMT ، تقویت کننده توان ، توان اشباع ، توان خطی