لایه نشانی اکسید سیلیسیم به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسمایی
محل انتشار: دهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,304
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_057
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله فرایند رسوب گذاری بخار شیمیایی در محیط پلاسمایی با منبع تغذیه فرکانس رادیویی (RF-PECVD) جهت ایجاد لایه ی نازک اکسید سیلسیم بر روی بستر سیلیسیمی مورد مطالعه قرار گرفت. ترکیب آلی - فلزی 4(TEOS)Si(OC2H5) به عنوان ماده ی اولیه ی سیلیسیم به همراه گازهای اکسیژن و آرگون استفاده شده است. این آزمایش به منظور بررسی اثر فشار کاری بر ساختار شیمیایی لایه در دمای کمتر از 100 درجه سانتی گراد انجام شد. بررسی ساختار ترکیب لایه به دست آمده از طریق تحلیل طیف مادون قرمز با تحلیل فوریه FTIR صورت گرفت. نتایج نشان داد که با کاهش فشار کاری لایه خالص تر و با استوکیومتری بهتری تولید می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مرضیه عباسی فیروزجاه
پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی
ایمان حسینی
پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی
بابک شکری
پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :