مدل اصلاح اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصات جریان- ولتاژ قطعه MOSFET

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,382

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE12_229

تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387

چکیده مقاله:

فرمولهای تحلیلی اصلاح یک بعدی اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصههای جریان- ولتاژ، از مدل گرادیان چگالی (DG) استخراج می شوند.برای معادلات نفوذ-رانش کلاسیک نتایج، توسط Markowich وWard ،Please ارائهشدهاست. نتایج Ward برای بدست آوردن فرمولهای صریح برای بدست آوردن فرمولهای صریح MOSFET در بازه ولتاژ قطعه دقیق میباشد Ancona تئوری DG را برای مدل کردن اثرات کوانتومی در معادلات انتقال الکترون و حفره معرفی کرد. نتایج شبیهسازی جریان-ولتاژ و ظرفیت-ولتاژ با استفاده از مدل DG نتایج خوبی را نشان میدهد. این روش عددی در سطح شبیهسازی ادوات نیمههادی مناسب میباشد. با این وجود، برای کاربردهای تحلیلی مدار، مدل ساده تحلیلی مورد نیاز میباشد.

کلیدواژه ها:

اثرات کوانتومی ، مدل تحلیلی ادوات .SPICE ، MOSFET

نویسندگان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M.G. Ancona and H.F. Tiersten, *Macroscopic physics of the silicon ...
  • M.G. Ancona et al, ،، D en sity-Gradient simulations of ...
  • M.G. Ancona and G.J. Iafrate, *Quantum correction to the equation ...
  • M.G. Ancona, *Macroscopic description of quantummec hanical tunneling, Phy. Rev. ...
  • scale Multiple؛ [5] J. Kervorkian and J. D. Cole, and ...
  • I-V characteristics of the Modeling؛ [6] H. Abebe, MOSFET device ...
  • B.A. Biegel et al, «Simulation of ultra-small MOSFETs using a ...
  • M. Ward et al, *Asymptotic methods for metal oxide _ ...
  • A. Asenov et al, *Quantum mechanical enhancement of the random ...
  • E. Cumb erbatch, H. Abebe, and H. Morris, _ C ...
  • I-V characteristics of the Modeling؛ [11] H. Abebe, MOSFET device ...
  • نمایش کامل مراجع