آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید

کاشت یون به عنوان یکی از تکنیکهای حیاتی در اصلاح و بهبود خواص مواد نیمه رسانا شناخته شده و نقش بسزایی در فناوری های مدرن دارد. این تکنولوژی در سالهای اخیر با پیشرفت های چشمگیری همراه بوده و بهبود های قابل توجهی در زمینه های مختلف ایجاد کرده است. از جمله این زمینه ها می توان به شتابدهی خطی رادیوفرکانسی (RF)، دوپینگ کاشت یون در مواد مختلف نظیر سیلیکون کاربید (SiC) و نیترید گالیوم (GaN)، و استفاده از کاشت یون در فناوری های پیشرفته اشاره کرد. تکنولوژی شتابدهی خطی RF امکان شتابدهی دقیق و موثر یون ها را فراهم می آورد و با کاهش زمان فرآیند، بهبود عملکرد و کارایی مواد نیمه رسانا کمک می کند. این روش از میدان الکتریکی وابسته به زمان برای شتابدهی ذرات بهره می برد و با افزایش سرعت ذرات، طول سلول های شتاب دهنده نیز به طور متناسب افزایش می یابد. این اصل به ایجاد تمرکز قوی یکنواخت فضایی در شتابدهنده های چهارقطبی رادیوفرکانسی (RFQ) کمک می کند.

کلیدواژه ها:

کاشت یون ، سیلیکون کاربید ، گالیوم نیترید ، شتابدهنده خطی RF ، دوپینگ نیمه رسانا ، شتابدهنده چند پرتو (MEQALAC) ، چهارقطبی رادیوفرکانسی ، RFQ ، بازپخت حرارتی ، تمرکز قوی یکنواخت فضایی