ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو

سال انتشار: 1396
کد COI مقاله: ITCT04_085
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 657
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو

علیرضا خلیلی - گروه مخابرات، دانشکده مهندسی برق ، دانشگاه پدافند هوایی خاتم الانبیا(ص)، تهران
روح الله روحانی فر - مدرس گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه پدافند هوایی خاتم الانبیا(ص)تهران
سیدوحید حسینی - مدرس گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه پدافند هوایی خاتم الانبیا(ص)تهران

چکیده مقاله:

پیشرفت های اخیر صورت گرفته در حوزه طراحی مدارت VLSI نشان می دهد که ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی در طول سالیان متمادی پتانسیل زیادی جهت فرآیند کوچک سازی و کاهش ابعاد در راستای تحقق قانون گوردن مور از خود نشان داده اند . مهمترین ویژگی های عملکردی این قبیلترانزیستورها در مقایسه با همتایان، تداوم افزایش سرعت عملکرد و کاهش توان تلفاتی همگام با روند کوچک سازی ابعاد در مقیاس نانو می باشد. اما با وجود مزایایی که در فرآیند کوچک سازی این قبیل ترانزیستورها رخ می دهد محدودیت های گسترده ای نیز ناشی از این امر پدید می آید که بیشتر اینمحدودیت ها از دیدگاه کوانتومی مطرح می گردد. از اینرو با ظهور تکنولوژی های جدید از قبیل ترانزیستورهای نانو لوله کربنی و رفع بسیاری از چالش های مطرح شده توسط آنها می توان انتظار داشت که در آینده ای نزدیک باید شاهد پایان عمر ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی باشیم

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا ITCT04_085 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/668808/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
خلیلی، علیرضا و روحانی فر، روح الله و حسینی، سیدوحید،1396،واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو،چهارمین کنفرانس ملی فناوری اطلاعات، کامپیوتر و مخابرات،مشهد،https://civilica.com/doc/668808

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1396، خلیلی، علیرضا؛ روح الله روحانی فر و سیدوحید حسینی)
برای بار دوم به بعد: (1396، خلیلی؛ روحانی فر و حسینی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

نظرات خوانندگان

4.00
1 تعداد پژوهشگران نظر دهنده
5 0
4 1
3 0
2 0
1 0

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 255
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی