طراحی یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS با توان کم

این مقاله، طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان کم ارایه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF استفاده می کند. UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد. این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند. استفاده از تکنیک تنظیم یک در میان، برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس موردنظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3,1 تا 10,6 گیگا هرتز داشته باشیم. نقاط تشدید از 3 گیگا هرتز تا 10 گیگا هرتز تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شد که توسط اولین ترانزیستور تولید می شود. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت (10 dB > S21) را با یک امپدانس ورودی خوب کمتر از -10 دسی بل و نیز یک مینیمم رقم نویز 2 دسی بل روی کل باند نشان می دهند. UWB LNA پیشنهادی، 15,2 میلی وات از یک منبع توان1,8 ولتی را مصرف می کند.