شبیهسازی و مقایسه پارامترهای سلول خورشیدی پروسکایت با لایه انتقال دهنده حفره و بدون آن

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,320

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECCONF02_056

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله:

سلولها خورشیدی ی پروسکایت اخیرا به خاطر بازده بالا و هزینه ساخت کم موردتوجه قرارگرفته اند . ماده جاذب در این ساختار 1 متیل آمونیوم سرب یدیدمیباشد. به دلیل اینکه تولید واقعی از حامل بار تنها در این لایه اتفاق میافتد این لایه از اهمیت بالایی برخوردار است. لایه جاذب میتواند یک یا چندلایه باشد. به دلیل اهمیت فوقالعاده این لایه جنس سایر لایهها بر اساس سازگاری آنهابا این لایه انتخاب میشود و سلول خورشیدی را با نام لایه جاذب آن میشناسند. این شبیهسازی توسط نرمافزار شبیهساز سیلواکو2و از ماژول اطلس انجام میگیرد که پس از شبیهسازی خواهیم دید که بازده، ضریب پرکنندگی، جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدارباز سلول خورشیدی پروسکایت بدون انتقالدهنده حفره در مقایسه با زمانی که لایه انتقالدهنده حفره در ساختار داریم کمتر میباشد.

کلیدواژه ها:

پروسکایت ، متیل آمونیوم سرب یدید ، سیلواکو ، انتقدال دهنده حفره

نویسندگان

سعید رحمان نسب

دانشگاه شهید چمران اهواز

عبدالنبی کوثریان

دانش یار دانشگاه شهید چمران اهواز

کریم انصاری اصل

استاد یار دانشگاه شهید چمران اهواز