سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 491

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

KAUCEE01_050

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET

امروزه با پیشرفت فناوری های نوین در زمینه ی صنعت الکترونیک و کاهش ابعاد افزاره ها، تعداد ترانزیستورها روی یک تراشه به سرعت در حال افزایش است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ی کربنی فناوری جدید امیدوارکننده ای است که بر بسیاری از محدودیت های تکنولوژی مدار مجتمع سیلیکونی رایج غلبه کرده است. در این مقاله یک ضرب کننده ی چهار ربعی با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی و بر اساس تکنولوژی 32 نانومتر CNTFET با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. این ضرب کننده دارای ویژگی هایی نظیر توان مصرفی بسیار پایین معادل 4/2 nw محدوده ی ورودی mv±4/2، محدوده ی ورودی mv ±400، اعوجاج هارمونیکی کم کمتر از 0/72 درصد، پهنای باند نسبتا بزرگ برابر با 2 GHZ و ولتاژ تغذیه ی پایین می باشد. مدار ضرب کننده ی چهارربعی از نظر توان مصرفی، محدوده ی ورودی، عملکرد خطی، پهنای باند و تعداد ترانزیستور عملکرد بسیار بهتری نسبت به همتای CMOS خود دارد.

کلیدواژه های مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET:

نویسندگان مقاله مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET

محدثه حسنی

گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.

مریم نیری

گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.

مقاله فارسی "مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET" توسط محدثه حسنی، گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.؛ مریم نیری، گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران. نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس ملی پژوهش های نوین در برق، کامپیوتر و مهندسی پزشکی پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ضرب کننده، نانولوله ی کربنی، آنالوگ، توان مصرفی هستند. این مقاله در تاریخ 29 مهر 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 491 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که امروزه با پیشرفت فناوری های نوین در زمینه ی صنعت الکترونیک و کاهش ابعاد افزاره ها، تعداد ترانزیستورها روی یک تراشه به سرعت در حال افزایش است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ی کربنی فناوری جدید امیدوارکننده ای است که بر بسیاری از محدودیت های تکنولوژی مدار مجتمع سیلیکونی رایج غلبه کرده است. در این مقاله یک ضرب کننده ی چهار ... . برای دانلود فایل کامل مقاله مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET با 9 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.