طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانوتیوب کربنی
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,547
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_239
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی مدار ضرب کننده بر اساس ترانزیستورهای کربن نانوتیوب بررسی شده است. تحقیقاتی در زمینه پیاده سازی مدارهای پرتراکمآنالوگ و دیجیتال انجام شده که نشان می دهد بهبودی های خوبی در زمینه ی سرعت، توان مصرفی، تاخیر و دیگر پارامترها ایجاد شده است. در اینجا پیاده سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر این ترانزیستورها بررسی شده است . در نهایت مدارضرب کننده CNTFET، بر اساس نرم افزار Hspice مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد باقر حیدری
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
زهیر کرد رستمی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :