بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET

با پیشرفت تکنولوژیهای زیر میکرومتر، صتعت الکترونیک در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و بکتربردن ادوات سیلیکونی در مقیاس بزرگ مجتمعسازی پیش میرود . این مقاله طرد جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرر پدیده خودگرمایی ارایه می دهد. ایده اصلی در ارایه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si۳N۴ میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، سیلیسیم روی عایق ، خود گرمایی