شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید

در این مقاله ترانزیستور حساس به یون برومید شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی حساسیت ترانزیستور مورد نظر به پارامترهایی مانند ضخامت و جنس اکسید گیت و طول گیت برای رسیدن به بالاترین حساسیت را ارایه می کند. براساس نتایج شبیه سازی با افزایش غلظت برومید، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطی افزایش می یابد علاوه براین با افزایش مولار برومید، ولتاژ آستانه با افزایش ضخامت اکسید و افزایش طول کانال، افزایش می یابد. همینطور بیشترین نرخ افزایش ولتاژ آستانه ISFET با افزایش مولار برومید، به ترتیب برای جنس های اکسید گیت Si3N4، ، Al2O3 و Ta2O5 بدست آمده اند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، یون برومید ، حساسیت ، ولتاژ آستانه