شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 995

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP15_139

تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387

چکیده مقاله:

دراین تحقیق معادله هلمهولتز برای بررسی میدان نزدیک اپتیکی به روش عناصر مرزی حل شده است سامانه های پروب و پروب - نمونه با این روش مورد مطالعه قرارگرفته اند نقش پارامترهای مختلف نظیر شکل مخروطی نوک پروب ضریب شکست نمونه شعاع نمونه وفاصله بین پروب و نمونه مورد بررسی قرارگرفته است اطمینان ازصحت نتایج با بررسی شرط پایستگی انرژی حاصل گردیده است .

کلیدواژه ها:

پروب میکروسکوپ میدان نزدیک اپتیکی ، روش حل عددی عناصر مرزی ، معادله هلمهولتز ، میدان نزدیک اپتیکی

نویسندگان

شمیسه شکری

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

مهدی سویزی

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

رضا مسعودی

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • شمیسه شکری، شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک در ...
  • Kim, Recent progress of _ -technology with NSOM, micron , ...
  • Wang, Study on power transrission and light spot size of ...
  • نمایش کامل مراجع