سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ورود
مقاله فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,059

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/65073

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP15_139

تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387

چکیده مقاله شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی

دراین تحقیق معادله هلمهولتز برای بررسی میدان نزدیک اپتیکی به روش عناصر مرزی حل شده است سامانه های پروب و پروب - نمونه با این روش مورد مطالعه قرارگرفته اند نقش پارامترهای مختلف نظیر شکل مخروطی نوک پروب ضریب شکست نمونه شعاع نمونه وفاصله بین پروب و نمونه مورد بررسی قرارگرفته است اطمینان ازصحت نتایج با بررسی شرط پایستگی انرژی حاصل گردیده است .

کلیدواژه های شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی:

پروب میکروسکوپ میدان نزدیک اپتیکی ، روش حل عددی عناصر مرزی ، معادله هلمهولتز ، میدان نزدیک اپتیکی

نویسندگان مقاله شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی

شمیسه شکری

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

مهدی سویزی

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

رضا مسعودی

دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
شمیسه شکری، شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک در ...
Kim, Recent progress of _ -technology with NSOM, micron , ...
Wang, Study on power transrission and light spot size of ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی" توسط شمیسه شکری، دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران؛ مهدی سویزی، دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران؛ رضا مسعودی، دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران نوشته شده و در سال 1387 پس از تایید کمیته علمی پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله پروب میکروسکوپ میدان نزدیک اپتیکی ، روش حل عددی عناصر مرزی ، معادله هلمهولتز ، میدان نزدیک اپتیکی هستند. این مقاله در تاریخ 10 دی 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1059 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین تحقیق معادله هلمهولتز برای بررسی میدان نزدیک اپتیکی به روش عناصر مرزی حل شده است سامانه های پروب و پروب - نمونه با این روش مورد مطالعه قرارگرفته اند نقش پارامترهای مختلف نظیر شکل مخروطی نوک پروب ضریب شکست نمونه شعاع نمونه وفاصله بین پروب و نمونه مورد بررسی قرارگرفته است اطمینان ازصحت نتایج با بررسی شرط پایستگی انرژی ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.