شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک با استفاده از روش حل عددی عناصر مرزی
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,036
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_139
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
چکیده مقاله:
دراین تحقیق معادله هلمهولتز برای بررسی میدان نزدیک اپتیکی به روش عناصر مرزی حل شده است سامانه های پروب و پروب - نمونه با این روش مورد مطالعه قرارگرفته اند نقش پارامترهای مختلف نظیر شکل مخروطی نوک پروب ضریب شکست نمونه شعاع نمونه وفاصله بین پروب و نمونه مورد بررسی قرارگرفته است اطمینان ازصحت نتایج با بررسی شرط پایستگی انرژی حاصل گردیده است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شمیسه شکری
دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران
مهدی سویزی
دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران
رضا مسعودی
دانشگاه شهید بهشتی ، پژوهشکده لیزر و پلاسما ، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :