تاثیر آلاییدگی ایندیم بر روی ویژگی های فیزیکی لایه های نازک اکسید روی
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 802
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_128
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
چکیده مقاله:
فیلمهای نازک اکسید روی وغیر آلاینده به ایندیم به روش افشانه پایرولیززانباشته شده اند دراین مقاله بررسی ویژگی ساختاری الکتریکی و اپتیکی ازجمله ثابتهای اپتیکی و باند گاف لایه های غیر آلاییده و آلاییده با ایندیم انجام شده است با آلاییدگی 1% ایندیم رسانش الکتریکی افزایش قابل ملاحظه ای می یابد همچنین بان گاف افزایش می یابد طیفهای فوتولومینسانس لایه های غیر آلاییده با ایندیم مقایسه شد .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فطمه زارع نزاد
آزمایشگاه ماده چگال ، دانشکده علوم پایه گیلان ،
سید محمد روضاتی
گروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه گیلان ، رشت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :