اثر دمای باز پخت روی خواص الکتریکی ، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک ZnO انباشتی به روش تبخیر پرتو الکترونی

فیلم های ZnO روی بستره های شیشه ای در دمای اتق به روش تبخیر پرتو الکترونی رشد داده شده اند مشخصات الکتریکی اپتیکی و ساختاری لایه ها نظیر مقاومت ویژه الکتریکی . تراگسیل .و گاف انرژی . همواره سطح و اندازه ی دانه بعد از باز پخت به دست آمده است اندازه گیری های XRD نشان می دهد که فیلم های ZnO با پهنای کامل در نصف شدت بیشینه FWHM کمتر از 0/5 درجه جهت مند شده اند . پهنای قله ها بعد از باز پخت کاهش می یابد که الین کیفیت بالای ساختار را نشان می دهد . اندازه گیری های SEM نشان می دهد که سطوح لایه های ZnO انباشته شده نسبتا یکنواخت می باشد

کلیدواژه ها:

تبخیر پرتو الکترونی ، خواص ساختاری ، دمای باز پخت ، لایه های نازک ،