تهیه نقطه های کوانتومی کادمیوم سلنید CdSe و بررسی رفتار نوری خطی و غیر خطی آنها با روش روبش - z

اصلاح سطح نقطه های کوانتومی CdSe یکی از مهمترین عوامل جهت پایدار کردن در مقابل رنگ بری نوری و افزایش طول عمر نشرو توزیع اندازه ای باریک آنها می باشد . در روش آلی - فلزی دما بالا کنترل سرعت واکنش با نسبت مولی cd/se =0.53 و در دمای 360 °C 290 °C حاصل شده است که نتایج طیف UV-Vis و HNMR بیانگر توزیع اندازه ای باریک و پایداری نقطه های کوانتومی که نتیجه ای از جذب مناسب لیگاندهای TOPO/TOP روی سطح نقطه کوانتومی و بسته شدن پیوندهای غیر اشباع روی سطح آنها می باشد را بیان می کند ضریب شکست غیر خطی مرتبه دوم محلول کلوئیدی CdSe با روش روبش - z در سه شدت 15.25.50 میلی از مرتبه (w/cm2 ) 10 و منفی می باشد که بیانگر رفتار خود واگرایی است که وابسته به اندازه ذره در محدوده انحصار کوانتومی قوی می باشد .

کلیدواژه ها:

روش روبش - z ، ضریب شکست غیر خطی ، نقطه های کوانتومی نیمه هادی ، نشر فلوئورسنس ،