گرادیانهای میدان الکتریکی در بلور GdAl2

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,138

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC09_232

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387

چکیده مقاله:

گرادیانهای میدان الکتریکی (EFGs) و فرکانس چهار قطبی (vq) در مکان هسته اتم ناخالصی Cd در بلور GdAl2 بر پایه نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش پتانسیل کامل امواج تخت بهبود یافته به علاوه اربیتال های موضعی (FP-APW+lo) محاسبه شدهاند. در این محاسبات اثر قطبش اسپینی در نظر گرفته شدهاست. تقریب های چگالی موضعی (LDA)، شیب تعمیم یافته (GGA) و همچنین GGA+U (در محاسبات GGA+U پارامتر هابارد موثر برابر با Uef f= 4/64 eV در نظر گرفته شد) برای محاسبه جمله تبادلی – همبستگی به کار برده شده اند. نتایج حاصل از محاسبات نشان میدهند که تاثیر GGA+U سبب کاهش مولفه اصلی گرادیانهای میدان الکتریکی و فرکانس چهار قطبی در راستای توافق بیشتر با نتایج تجربی شده است.

نویسندگان

فاطمه وکیلی

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان

سعید جلالی اسدآبادی

مرکز تحقیقات علوم و تکنولوژی نانو، دانشگاه اصفهان