بررسی رفتار توابع وانیر بیشینه جایگزیده در مرز مشترک CrAs/GaAs
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,512
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_200
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
ماتوابع وانیر بیشینه جایگزیده مرز مشترک CrAs/GaAs را در حالت فرومغناطیس محاسبه کرده ایم. در کانال اسپین پایین 32 حالت اشغال شده می باشندو مراکز توابع وانیر بیشینه جایگزیده مربوط به این حالت ها بر روی پیوند حضور دارند. در کانال اسپین بالا 20 حالت دیگر مربوط به اوربیتال های d3 اتم Cr اضافه می شوند. از بین 32 تابع وانیر قرار گرفته بر روی پیوند ، 8 تابع وانیر بر روی مرزمشترک CrAs/GaAs خواهند بود. مرکز این 8 تابع وانیر در حالت اسپین بالا جابه جایی نسبت به راستای پیوند در جهت زیر لایه (GaAs) نشان می دهد. حضور میدان الکتریکی ناشی از تغییرات پتانسیل الکتروستاتیکی کل بر روی مرزمشترک Ga/As/Cr منشأ چنین جابه جایی هایی است.
نویسندگان
نفیسه رضائی بادافشانی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان
سیدجواد هاشمی فر
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی اکبرزاده
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :