الکترولس فیلم های نازک مس بر زیر لایه سیلیکون وبررسی اثر دمابررشد آنها
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,293
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_185
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این تحقیق فیلم های نازک مس ازنمک CuSO4 .5H2O در حضور فرمآلدهید به عنوان واسطه کاهش برسطح زیر لایه نیمرسانای سیلیکون به روش الکترولس تهیه شدند وساختارآن ها با استفاده از دستگاه XRD مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از میکروسکوپ SEM ریخت شناسی وترکیب شیمیایی نمونه ها مطالعه شد. سپس اثردما بر فرآیند رشد مورد مطالعه قرار گرفت و دمای بهینه جهت داشتن لایه ای همگن ویکنواخت بین 57-54 درجه سانتیگراد تعیین گردید.
نویسندگان
ایرج کاظمی نژاد
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز