مطالعه گذار فلز - عایق گاز حفره ای دو بعدی در ساختار دور آلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,440
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_065
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله وابستگی دمایی مقاومت طولی ρ گا ز حفره ای دو بعدی (2DHG) در ساختار دور آلاییده دریچه دار P - Si/SiGe/Si برای درگستره دمایی 1 تا 5 کلوین مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. نتایج تجربی مؤید آن است که گذار فلز- عایق در ns دانسیته های مختلف دانسیته بحرانی nsc =2/7× 1011h/cm2 مقاومت بحرانی pc=11600Ω/sq متناظر با پارامتر kƒ l برابر با 1/6 رخ می دهد. این نتیجه و برازش نظری نتایج تجربی با نظریه و نتایج تجربی حاصل از کانال های مشابه (AlAs) همخوانی دارد.
نویسندگان
محمدعلی صادق زاده
دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد ، یزد
آزاده آیت الهی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه پیام نور مشهد، مشهد
جمیل آریایی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه پیام نور مشهد، مشهد