تعیین مشخصه I-V در ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی

در این مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی با هدف تحلیل کارایی و بهبود آن مورد نظر می باشد در این راستا مدلی جهت شبیه سازی مشخصه I-V ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی پیشنهاد می گردد و درستی مدل پیشنهادی مورد بررسی قرار خواهد گرفت همچنین به منظور بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی اثر تغییر یکی از پارامترها بر روی مشخصه I-V با استفاده از مدل پیشنهادی و به کمک نرم افزار متلب و کد Fettoy مورد تحلیل قرار خواهد گرفت

کلیدواژه ها:

نانو ترانزیستور ، گرافن ، ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی ، مشخصه I-V