بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,317
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_042
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، به بررسی تفاوت های برخی از خواص ترابردی الکترون در ساختار وورتسایت و زینک- بلند نیمرسانای GaN، از نیمرساناهای گروه III-V با گاف نواری مستقیم، که در قطعات با دما و فشار بالا مورد استفاده قرار می گیرد، می پردازیم. با استفاده از یک مدل سه دره ای، سرعت سوق به دست آمده برای الکترون ها در دمای اتاق در ساختار زینک- بلند ؟؟؟؟؟؟ در حد میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] و در ساختار وورتسایت [به متن مقاله مراجعه شود] در میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] آمده است.
نویسندگان
زهرا اسلامی مقدم
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :