بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,363

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC09_042

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387

چکیده مقاله:

در این مقاله با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، به بررسی تفاوت های برخی از خواص ترابردی الکترون در ساختار وورتسایت و زینک- بلند نیمرسانای GaN، از نیمرساناهای گروه III-V با گاف نواری مستقیم، که در قطعات با دما و فشار بالا مورد استفاده قرار می گیرد، می پردازیم. با استفاده از یک مدل سه دره ای، سرعت سوق به دست آمده برای الکترون ها در دمای اتاق در ساختار زینک- بلند ؟؟؟؟؟؟ در حد میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] و در ساختار وورتسایت [به متن مقاله مراجعه شود] در میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] آمده است.

نویسندگان

زهرا اسلامی مقدم

گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

هادی عربشاهی

گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • فیزیک و کنولوژی قطعات نیمرسانا، اس.ام.زی، ترجمه غلامحسین سدیر عابدی، ...
  • Nakamara, s;" The blue Diod-GaN based hight emitters and lasers" ...
  • DL. Rode and AC.Beer:"Hal mobility in GaN Mateial" , phys.per. ...
  • gc. Crow and A Abram:"Monte carlo aimulation of GaN Material ...
  • C. Moglestue, Monte Carlo Simulation of semiconductor Device, 1993, Chapman ...
  • C.Jacoboni and P.Lugli, The Monte Carlo for semiconductor and Device ...
  • Carlo Method for Semiconductor and Monte؛، [6] C. Jacoboni, P. ...
  • J. D. Albrecht , R. P. Wang and P. P. ...
  • J.G.Ruch and W.Fawcett, J.Appl.Phys. 41(1970)3846 ...
  • S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. shul and ...
  • V. W. Chin, t. l. Ttansley, and T. Osotchn, J.Appl.Phys.75(1994)7356. ...
  • D. Chattopadhyay and H. J. Queisser, phys. Revi. Modem. 53, ...
  • I. H. Oguzman. Y. Wang, J. Kolnik, and K. F. ...
  • I. H. Oguzman, E. Bellotti, K. F. Brennan, J. Kolink, ...
  • نمایش کامل مراجع