حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا

در این مقاله ساختار و خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن بر روی زیرلایه های سیلیکون مورد مطالعه قرار گرفته است. به منظور بررسی خصوصیات سطوح لایه های مورد نظر از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و برای مشخصه یابی حوزه های مغناطیسی و رفتار دیواره های حوزه ها از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) و مغناطیس سنجی گرادیان نیروی متناوب (AGFM) استفاده گردید. لایه های آهن با ضخامت 150-5 نانومتر لایه نشانی شدند. هدف اصلی این مقاله، مطالعه اثر ضخامت لایه ها بر ناهمسانگردی و پسماند مغناطیسی آنهاست. بطور نمونه حوزه های لایه آهن با ضخامت 100 نانومتر بر روی سیلیکون با استفاده از تصاویر MFM و منحنیهای پسماند مغناطیسی آن به وسیله AGFM گزارش شده است. همچنین از روی محاسبات مربوط به ناهمسانگردی موثر نشان داده شد که با افزایش ضخامت لایه های آهن، نوساناتی در زیر لایه های سیلیکون نوع nو p مشاهده می شود.