شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET)
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 904
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_385
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون،در یک حسگر شیمیایی متداول هستند. با این وجود، در اثر شارش صفحه ای، حساسیت دستگاه به طور قابل توجهی کاهش می یابد. وابستگی لگاریتمی بین بار حاضر در سطح الکترولیت عایق و بار منتقل شده با بازتاب آینه ای در کانال هدایت، حساسیت ISFET1 ایده آل معمولی را به 59.2 mV/pH محدود می سازد که به عنوان حد نرنستین نیز شناخته می شود. استفاده از اثر دو گیتی بر فناوری سیلیکون روی عایق SOI موجب بهبود حساسیت ISFET می گردد. ساختارهای آزمون MOSFET به طور کلی همراه با ISFETها در یک ویفر ساخته می شوند. در این مقاله، یک SOI MOSFET دو گیتی که به طور تقریبی کاملا تخلیه شده است (NFD) را با شبیه سازی رفتار آن در ابزار TCAD SILVACO™ و اعتبارسنجی آن با نتایج آزمون NFDSOI MOSFET ساخته شده نشان می دهیم. مشاهده می شود که با اعمال یک پتانسیل به گیت پشتی، می توان ولتاژ آستانه و جریان درین ترانزیستور را کنترل نمود.
نویسندگان
الهام خوب جو
دانشجوی دکترا برق دانشگاه آزاد واحد گرمسار ایران
عبدالله عباسی
عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه آزاد واحدگرمسار ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :