تحلیل شیب زیر آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو ماده ای متقارن
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,592
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_271
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله، برای یک ترانزیستور دو گیتی با گیت دو ماده-ای متقارن و با در نظر گرفتن حامل های متحرک بار کانال، با استفاده از پتانسیل دو بعدی کانال و مفهوم مسیر هدایت مجازی، رابطه ای تحلیلی برای شیب زیرآستانه ترانزیستور ارایه می شود. شیب زیر آستانه به صورت عکس تغییرات جریان درین نسبت به تغییرات ولتاژ گیت بیان می شود. جریان درین در شرایط زیر آستانه خود به بار کمینه کانال وابسته است که این بار در مکانی از کانال قرار دارد که در آن مکان پتانسیل در امتداد طول کانال کمینه خواهد شد. به ازای عمق مشخصی از کانال در این مکان که مسیر هدایت موثر نامیده می شود، مقدار بار کمینه و جریان زیر آستانه محاسبه خواهند شد و بر اساس آن شیب زیر آستانه به دست می آید. تطبیق مناسب نتایج مدل پیشنهادی با نتایج شبیه سازی ترانزیستور، درستی مدل پیشنهادی را نشان می-دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نسیم سلیمانی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :