مروری بر ترانزیستور اثر میدانی تونلی برای کاربردهای فوق کم مصرف

ترانزیستورتونلینگ اثر میدانی (TFET)، به عنوان یک جایگزین برای CMOS معمولی به وسیله ی فعال کردن منبع تغذیهولتاژ (VDD) با مصرف توانی فوق العاده کم، محاسبات کارآمد انرژی، در طی دامنه ی زیر- حد آستانه ی (sub-threshold slope: SS) زیرmV/decade اش به وجود آمد. آن نوع دستگاه، یک ساختار بایاس معکوس گیت دار است که معمولا به آن ترانزیستور اثر میدانی تونلی (TFET) می گویند. با پیشرفت فناوری و نیاز به افزاره های با جریان نشتی کم برای کاربردهای توان پایین، TFET مورد توجه قرار گرفته است.تاکنون کارهای متعددی برای بهینه سازی مشخصات TFET صورت گرفته است. این افزاره نسبت به MOSFET ، جریان نشت استاتیک کمتریدارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است. برجسته ترین ویژگی TFET ها ، ظرفیت تولید یک سویینگ آستانه فرعی معکوس (SS) کمتر از mV60/decade حد گرمایی (در 300 کلوین) مربوط به MOSFET های حالت معکوس متداول می باشد. ss شبه حرارتی، قابل حصول است، زیراجریان درین در TFET ها بوسیله تزریق حامل از سورس به کانال تولید می شود که این غالبا تحت شعاع تونل زنی باند به باند مکانیک کوانتوم(BTBT) قرار می گیرد نه شارش یا نفوذ مثل MOSFET ها. در این طرح ذکر شده در، نتایج شبیه سازی silvaco TCAD برای MOSFETمتداول و ترانزیستور اثر میدانی تونلی، را نشان داده شد. با استفاده از نتایج فهمیده شد که TFET برای کاربردهای فوق کم مصرف مناسب است.

کلیدواژه ها:

تونل زنی باند به باند ، شیب زیر آستانه ، ، طراحی فوق کم مصرف