تابش سینکروترون و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک
محل انتشار: اولین همایش ملی علوم کاربردی و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,507
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ASEA01_046
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396
چکیده مقاله:
اخیرا فناوری نانو مزیتهای قابل توجهی را در ساخت قطعات نانو الکترونیک، نانو مغناطیس و نانو مواد دیگر بوجود آورده است. اغلب این نانو ساختارها به صورت یک لایه نازک روی یک زیر لایه نشانده میشوند. تعیین و شناسایی نوع ساختارشامل اندازه متوسط ذرات، شکل ذرات، نوع توزیع، چگالی ذرات، ضخامت لایه، زبری سطح، ترازهای الکترونی و سایر کمیتهای مهم ساختاری از اهمیت بسیار بالایی برخوردار است. همچنین در فناوری ساخت ادوات نیمه هادی، کنترل وبررسی فرآیند ساخت این ادوات از اهمیت بالایی برخوردار است و بررسی ویژگیهای دینامیکی آنها در حین ساخت تاثیربسزایی در بهبود عملکرد آنها خواهد داشت. در این مقاله، تاکید ما به روشهای مشخصهیابی جدیدی است که بر اساس تابش سینکروترون پایهگذاری شدهاند. به علت پیچیدگی و هزینه بالای نصب و راه اندازی سینکروترون، ایجاد یک منبع نوین اشعهایکس موثر و ارزان، به عنوان جایگزین مناسب برای تابش سینکروترون نیز بسیار ارزشمند است. در راستای تحقق این هدف، ما به بررسی ویژگیهای تابش چرنکوف در ناحیه اشعه ایکس نیز پرداختهایم. نتایج نشان میدهند که چشم انداز خوبی برای توسعه بیشتر و بکارگیری تابشهای الکترومغناطیسی تولید شده در شتابگرهای کوچک وجود دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زینب آشوری
گروه برق الکترونیک، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی، ملایر، ایران.
عباس احمدی
گروه برق الکترونیک، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی، ملایر، ایران.
محمدرضا قهری
گروه برق الکترونیک، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی، ملایر، ایران.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :