Design of a 137dB low power operational amplifier working in weak inversion region using a novel approach
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 622
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSOECE05_077
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
چکیده مقاله:
Operational amplifiers are one of the most popular elements in electronic circuit design and their performance including gain, bandwidth and power dissipation are quite important. Although BJT transistor amplifiers provide high gain and broad bandwidth, they usually have very high power consumption. CMOS operational amplifiers working in strong inversion have lower power consumption than BJT amplifiers but they usually have lower gain and narrower bandwidth. However it wasn’t until SPICE models for CMOS transistors developed before researchers could examine transistor behavior in moderate and weak inversion regions. It was then that it became evident that CMOS transistors in moderate and weak inversion have similar behavior to BJTs with very low power usage. In this research using the precise BSIM3 model, we design a two stage high gain (137dB) very low power opamp that operates in weak inversion region.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
SeyedPeyman Faghir Mirnezami
Postgraduate student, Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran
Mohammad Bagher Tavakoli
Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :