معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید براساس وارونگی سطحی

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی براساس وارونگی سطحی ارایه می شود. در این ساختار پیوند کلکتور بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه +n امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارایه شده بهره جریان قابل توجه و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور دوقطبی ، وارونگی سطحی ، بهره جریان بالا ، شبیه سازی عددی دو بعدی