شبیه سازی و طراحی سلول های خورشیدی دو پیوندی

در این مقاله ابتدا یک سلول دو پیوندی متشکل از InGaN/CIGS را طراحی و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی کردیم در این کاراز یک لایه CdS به عنوان پوشش ضد انعکاس استفاده شده و بعد تطبیق جریان در سلول بالایی و پایینی با تغییر ضخامت پوشش ضد انعکاس شده و سپس بعد از برقراری تطبیق جریان برای CIGS باند گپ های مختلفی از 1.07 الکترون - ولت تا 1.69 الکترون ولت در نظر گرفته شده است و به ماکزیمم مقدار بازده در این حالت رسیده اند و بعد غلظت ناخالصی نوع n لایه InGaN را تغییر داده شده است و نتایج را با هم مقایسه شده و در بهینه ترین حالت [V] Voc=1.8 و mA/cm2 Isc=2.939*10-8 در این حالت بازده به %42.42 رسیده است.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی دو پیوندی ، سیلواکو ، تطبیق جریان ، پوشش ضد انعکاس ، باند گپ ، ناخالصی ، بازده