طراحی یک تقویت کننده کسکید توزیع شده با بهره زیاد در پروسه 180 نانومتر cmos
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 462
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEC02_014
تاریخ نمایه سازی: 7 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای افزایش بهره و کاهش نویز المان تطبیق ورودی تقویت کننده توزیع شده پیشنهاد شده است. که ساختاری دیفرانسیلی با طبقات بهره کسکید شده به منظور افزایش بهره است با تطبیق RL پیشنهاد می شود. به منظور اثبات روش پیشنهادی یک تقویت کننده توزیع شده 4 طبقه دیفرانسیلی با سلول های بهره کسکید شده با تطبیق پسیو در پروسه 180 نانومتر cmos دسی بل و عد نویز متوسط کمتر از 4/5 دسی بل است در این ساختار، در هیچ بازه فرکانسی در شرایط برابر عدد نویز بیشتر از 5 دسی بل نمی شود. به منظور اثبات روش پیشنهادی جدید یک تقویت کننده توزیع شده 4 طبقه وزن دهی شده، در پروسه 180 نانومتر CMOS طراحی و شبیه سازی شد. نتایج حاصل از جانمایی کامل نشان می دهد که در بازه فرکانسی 1 تا 15 گیگاهرتز عدد نویز متوسط در حدود 4/2 دسی بل و بهره در حدود 13/7 دسی بل بهبود حاصل شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شیرین بسطامی
استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تبریز
پیمان علی پرست
کارشناس ارشد، دانشکده فنی مهندسی 2، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :