طراحی تقویت کننده توان فرکانس رادیویی باند X مبتنی بر فناوری MMIC برای سامانه های مخابراتی ماهواره های سنجشی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 595

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF03_195

تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی با توان خروجی و راندمان بالا مبتنی بر فناوری (Monolithic Microwave Integrated Circuit) MMIC در محدوده ی باند X ( 8 تا 12 گیگاهرتز ) برای تله متری ماهواره های سنجشی در کلاس E و به صورت دو طبقه با ولتاژ بایاس VD=40 vو VG=-2 v طراحی و شبیه سازی شده است. برای این کار از پروسه ( Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor )GaN HEMT استفاده شده است. بهره سیگنال کوچک تقویت کننده نهایی حدود 25dB و حداکثر توان خطی 49.3dBm در فرکانس 10GHz می باشد. راندمان نهایی برای این تقویت کننده حدود 49% می باشد که به ازای توان ورودی Pin=40 dBm بدست می آید. توان اشباع تقویت کننده به ازای Pin=40 dBm حدود 195 وات می باشد و از لحاظ پارامترهای خطینگی AM/PM حدودdeg/dB 5- و مقدار (intermodulation Distortion Third Harmonic) IMD3 در تست دوتن حدود 21dBc- بدست آمد.

نویسندگان

احد فرهادی

دانش آموخته کارشناسی ارشد؛ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه آزاد اسلامی تبریز، تبریز، ایران

پیمان علی پرست

استادیار؛ پژوهشکده سامانه های فضانوردی، پژوهشگاه هوافضا (وزارت علوم، تحقیقات و فناوری) تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Xu, Hongtao, Steven Gao, Sten Heikman, Umesh K. Mishra, and ...
  • _ High-e ficiency class-E power amplifier using field-plated GaN HEMTs: ...
  • Quay, Ridiger. Gallium nitride electronics. Vol. 96. Springer Science & ...
  • Cabral, Pedro M., Jose C. Pedro, and Nuno B. Carvalho. ...
  • Raab, Frederick. "Idealized operation of the class E tuned power ...
  • Albulet, Mihai. RF power amplifiers. Vol. 2. SciTech Publishing, 2001. ...
  • Jarndal, Anwar Hasa. Large Sigal Modeling of GaN Device for ...
  • Piotrowicz, Stephane, Erwan Morvan, Raphael Aubry, S. Bansropun, T. Bouvet, ...
  • Coffey, Mike, Parisa MomenRoo daki, Andrew Zai, and Zoya Popovic. ...
  • Piotrowicz, S., Z. Ouarch, E. Chartier, R. Aubry, G. Callet, ...
  • Moon, J. S. D. Wong, M. Antcliffe, P. Hashimoto, M. ...
  • نمایش کامل مراجع