مدل سازی خواص الکتریکی پیوند شاتکی نانولوله های کربنی به کمک شبکه های عصبی مصنوعی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 420

فایل این مقاله در 35 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ITCC03_273

تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396

چکیده مقاله:

نظر به اهمیت کنترل فرآیندهای تولید پیوند شاتکی نانولوله های کربنی و همچنین مشکلات ناشی ازروش تصفیه، در این کار، با مدل سازی شبکه های عصبی مصنوعی ، خواص الکتریکی پیوند شاتکینانولوله های کربنی مورد پیش بینی قرار گرفته تا کارآمدی این شبکه ها در هوشمند سازی روش هایتولید محقق گردد. لذا از مولفه های موثر بر خواص الکتریکی پیوند شاتکی نانو لوله های کربنی، باتاکید بر عوامل مهندسی برای آموزش شبکه عصبی غیر خطی استفاده شده و در نتیجه شبکه ی مطلوببا سازگار پس انتشار خطا شامل یک لایه پنهانی با دو نرون، حاصل گردید. مقادیر پیش بینی شبکهعصبی با نتایج حاصل از آزمایش های عملی و محاسبه با سایر روشها، تطابق خوبی داشت.

نویسندگان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • کیا، مصطفی. 1387. شبکه های عصبی درمطلب : خدمات نشر ...
  • . J.W. Mintmire, B.I. Dunlap, and C.T. White, Phys. Rev. ...
  • . Dekker, Cees (May 1999). "Carbon nanotubes as molecular quantum ...
  • . Martel, R.; V. Derycke, C. Lavoie, J. Appenzeller, K. ...
  • . Jeroen W. G. Wildo: er, Liesbeth C. Venema, And ...
  • . ljima, S. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature 354, ...
  • . Hamada, N., Sawada, S.-l. & Oshiyama, A. New one-d ...
  • . Berkeley group led by Alex Zettl, Steven Louie, Marvin ...
  • . Martin T.Hagan _ Howard B.Dcmuth , Mark Beale , ...
  • S. Abbaszadeh, N. Allec, K. Wang, and K. S. Karim ...
  • K. K. Ng, Complete Guide to Semicou nductor Devices, Translated ...
  • K.Wang, F. Chang, N. Allec, and K. S. Karim, "Fast ...
  • H. Huang, Y. Xie, W. Yang, F. eng, Z. Hang, ...
  • M. JagadeshKu mar and P. Harsh"New silicon carbide sh ottky-gateBi ...
  • H. C. Lin, M .F. Wang, F. J. Hou, H. ...
  • Trevor, " Physics and Applications of the Schottky Junction Transistor", ...
  • S. M. Sze, "Physics of Semicond uctor Devices, 3nd Edition", ...
  • C. Moglestue, "Monte carlo simulation of semicou nductor device", Chapman ...
  • C. Jacoboni _ L. Reggiani, " The Monte Carlo method ...
  • K. Tomizawa, "Numerical Simulation of Submicron Semico- nductor Device", Artech ...
  • D. Vasileska, S. M. Goodnick and G. Klimeck, "Computatio- _ ...
  • نمایش کامل مراجع