تقویت کننده CMOS گین بالا و نویز پایین برای گیرنده بی سیم مافوق باند پهن
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 702
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NPECE01_327
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
چکیده مقاله:
یک تقویت کننده باند پهن 3-5GHZ تک خروجی Low Noise Amplifier LNA با یک هدف نظری بر اساس آخرین الگوریتم منظم در این مقاله ارایه شده است طراحی شامل یک شبکه تطبیق امپدانس ورودی باند پهن که شامل یک تقویت کننده کاسکود با LNA که در به شکل مقایسه هم ارز شده و یک شبکه تطبیق امپدانس خروجی رانیز دارد شبیه سازی با استاندارد 0.18μm برای RF CMOS در نر گرفته شده است برای شبکه تطبیق امپدانس طراحی برای حداقل شکل نویز Noise Figure(NF) مناسب و ماکزیمم قدرت گین در نظر گرفته شده است مقادیر المانهای مناسب برای شبکه تطبیق از روش کمترین مربع دست آورده شده است LNA پیشنهاد شده یک گین در محدوده 19.9-18.9db را بیش از UWB Ultra Wide Band باند باریک 3-5GHZ ارایه می دهد بعلاوه شکل نویز در محدوده 0.6-0.8db بدست آورده شده است در طرفین ورودی هارمونیک سوم IP3 و P1db به ترتیب 10.5dbmو18dbm می باشد روش پیشنهادی برای حداقل 4db گین قدرت موثر در مقایسه باکارهای مشابه با شکل نویز ثابت می باشد تغذیه DC حدود 1.8v در نظر گرفته شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن پویا
دانشجوی ارشد رشته برق الکترونیک از دانشگاه آزاد اسلامی اراک
هما دلشادی
دانشجوی ارشد رشته کامپیوتر نرم افزار دانشگاه آزاد اسلامی اراک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :