تقویت کننده CMOS گین بالا و نویز پایین برای گیرنده بی سیم مافوق باند پهن

یک تقویت کننده باند پهن 3-5GHZ تک خروجی Low Noise Amplifier LNA با یک هدف نظری بر اساس آخرین الگوریتم منظم در این مقاله ارایه شده است طراحی شامل یک شبکه تطبیق امپدانس ورودی باند پهن که شامل یک تقویت کننده کاسکود با LNA که در به شکل مقایسه هم ارز شده و یک شبکه تطبیق امپدانس خروجی رانیز دارد شبیه سازی با استاندارد 0.18μm برای RF CMOS در نر گرفته شده است برای شبکه تطبیق امپدانس طراحی برای حداقل شکل نویز Noise Figure(NF) مناسب و ماکزیمم قدرت گین در نظر گرفته شده است مقادیر المانهای مناسب برای شبکه تطبیق از روش کمترین مربع دست آورده شده است LNA پیشنهاد شده یک گین در محدوده 19.9-18.9db را بیش از UWB Ultra Wide Band باند باریک 3-5GHZ ارایه می دهد بعلاوه شکل نویز در محدوده 0.6-0.8db بدست آورده شده است در طرفین ورودی هارمونیک سوم IP3 و P1db به ترتیب 10.5dbmو18dbm می باشد روش پیشنهادی برای حداقل 4db گین قدرت موثر در مقایسه باکارهای مشابه با شکل نویز ثابت می باشد تغذیه DC حدود 1.8v در نظر گرفته شده است