تحلیل و بررسی چند روش بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 711

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE10_131

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

چکیده مقاله:

حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند و با پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، یکی از بحثهای تحقیقاتی روز ارائه ی طرح های بهینه از حافظه های استاتیکی است. از حافظه های استاتیکی به منظور ایجاد حافظه های نهان استفاده می شود و با توجه به نیاز حافظه هاینهان به زمان دسترسی فوق العاده پایین، بنابراین طراحی SRAM هایی با سرعت زیاد بسیار اهمیت پیدا می کند. همچنین به علت درخواست های بالایدستگاه های قابل حمل، مصرف توان یکی دیگر از محرک های پشت ارائه طرح های بهینه از سلول های متداول SRAM است. همچنین به طرح هایی نیازداریم که قابلیت اطمینان را در عملیات نوشتن، خواندن و نگهداری داده ها را افزایش دهد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد، این موارد بخشی از نیازهای هستند که باید در طراحی های جدید در نظر گرفته شوند. این مقاله با تکیه بر این نیازها به تحلیل و بررسی چند روش جدید بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول می پردازد.

نویسندگان

شکوفه نقی زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد موسسه آموزش عالی روزبهان،

محمد غلامی

استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه مازندران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • E. Karl, Y. Wang, Y.-G. Ng, Z. Guo, F. Hamzaoglu, ...
  • M. Yabuuchi, K. Ni , Y. Tsukamoto , S. OhbayashI, ...
  • Mukhopadhyay Saibal, M. Rao Rahul, Kim Jae-Joon, Chuang Ching-Te. 2011. ...
  • Srinivasan Uma, P. Kowalczyk Steven, M. Ziegler Matthew. 2008. A ...
  • Wang Jiajing, Nalam Satyanand , H. Calhoun Benton _ _ ...
  • نمایش کامل مراجع