مقایسه و ارزیابی سطح تداخل الکترومغناطیسی در مبدل فلای بک تک سوئیچه و دو سوئیچه
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 408
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE01_023
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
چکیده مقاله:
مساله تداخل الکترومغناطیسی در مبدلهای سوئیچینگ قدرت از اهمیت ویژهای بر خوردار است. ولتاژ استرس بالا ناشی از تخلیه انرژی سلف نشتی در خازن سوئیچ در مبدل فلای بک تک سوئیچه باعث افزایش تلفات و سطح تداخل الکترومغناطیسی می شود. توپولوژی فلای بک دو سوئیچه باعث کاهش سطح ولتاژ استرس و ضربه های ولتاژ سوئیچ می شود و در نتیجه پتانسیل کاهش سطح EMI را در مبدل فلای بک تک سوئیچه دارد. برای ارزیابی میزان کاهش EMI هدایتی در مبدل فلای بک دو سوئیچه، در این مقاله دو مبدل فلای بک تک سوئیچه و دو سوئیچه مشابه 30 وات طراحی و مدلسازی شده است. بر اساس این مدلسازی، میزان کاهشEMI در مبدل فلای بک دوسوئیچه نسبت به فلای بک تک سوئیچه مقایسه و ارائه شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید رحمانی میاندشتی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمدروح اله یزدانی
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :