بررسی خواص نوری لایه های نیترید سیلیکون (Si3N4) لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در محیط پلاسمای آرگن

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,650

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP13_029

تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1387

چکیده مقاله:

لایه های نازک نیترید سیلیکون (Si3N4) بر روی زیرلایه های مولتی کریستال سیلیکون و شیشه نازک با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی در محیط گاز آرگن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی با زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد. با تغییر توان لایه نشانی، لایه هایی با خواص نوری متفاوت بدست می آید. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین 350-100 وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نوری بیشتر از 92 % در توان بین 150-100 وات در طیف وسیع nm 300-1200 دارا میباشند. همچنین لایه هایی که با توان 150-100 وات لایه نشانی میشوند، دارای گاف انرژی در حدود 5eV میباشند.

نویسندگان

ابراهیم اصل سلیمانی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف

هادی ملکی

پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی

رضا افضل زاده

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی